[M 투데이 이상원기자] 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 갖고 본격적인 출하를 시작했다.

이 날 출하식에는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석했다.

삼성전자 파운드리사업부는 “혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아 가겠다”며 “3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사는 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"며 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.

삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다고 밝혔다.

삼성전자 관계자는 일부에서 삼성이 3나노 공정 제품의 대규모 납품처을 확보하지 못했다며 세계 최초 양산에 의문을 제기하고 있는데 대해 “양산 제품을 글로벌 여러 기업에 납품할 예정”이라면서도 "구체적인 납품처는 밝히기 어렵다"고 말했다.

영국 파이낸셜 타임즈(Financial Times)는 삼성전자가 지난 달 30일 세계 최초로 3나노미터(㎚, 1나노미터는 10억분의 1m) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 발표했으나 삼성의 3나노미터 양산 칩 구매 고객이 누구인지는 밝히지 못하고 있다며 대규모 양산에 의문을 제기했다.

FT는 3나노 공정 기반의 차세대 칩은 삼성 평택공장에서 양산이 이뤄지지 않고, 제조 기술개발이 진행되는 화성 캠퍼스에서 만들어진다면서 이 때문에 삼성의 3나노 공정 생산규모는 매우 작을 것이란 의심을 받고 있다고 전했다.

삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후에는 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이라고 밝혔다.